產(chǎn)品簡介
等離子刻蝕機主要由高真空刻蝕腔、真空抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)、電源系 統(tǒng)、工藝氣路系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)和控制軟件等部分組成。
等離子刻蝕是一種選擇性干法刻蝕方法，用于各種半導(dǎo)體器件、MEMS器件等的制造技 術(shù)，蝕刻用于形成非平面微觀結(jié)構(gòu)-溝槽或臺面結(jié)構(gòu)，以及具有受控角度的傾斜側(cè)壁，其兼 具高精加工精度和再現(xiàn)性。可刻蝕的材料包括但不限于單晶硅、多晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、聚合物等。
產(chǎn)品參數(shù)
| 型號 | NE-RE08H |
| 極限真空度 | ≤1×10-4 Pa |
| 等離子發(fā)生器 | 射頻電源，自動阻抗匹配 |
| 電極最大功率 | ≥600W |
| 樣品尺寸 | ≤8英寸晶圓 |
| 等離子體刻蝕不均勻性 | ≤3% |
| 等離子體刻蝕速率 | ≥0.1μm/min（以硅晶圓為基準(zhǔn)） |
| 刻蝕材料 | 支持氟基和氧基刻蝕，可刻蝕材料包括但不限于單晶硅、多晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、聚合物等 |
| 工藝氣體 | 四路反應(yīng)氣體（SF6、CHF3、O2、Ar等） |
| 電極材質(zhì) | 不銹鋼 |
| 匹配器匹配穩(wěn)定時間 | <3s |
| 調(diào)壓速度 | ≤30s |
| 控制系統(tǒng) | 配備工控機自動控制系統(tǒng) |
| 壓力控制系統(tǒng) | 0.5Pa～5Pa（精度：±1%；） |
| 電極冷卻方式 | 水冷 |
| 輸入電壓 | 380V |
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等離子技術(shù)
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