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伴隨半導體行業的迅速崛起，國內對于等離子體工藝設備的需求也日益增多。等離子體放電后可產生有化學活性的物質，因而廣泛應用于材料表面改性及表面處理等多個領域，在大規模系統級集成制造工藝中等離子體工藝技術起著極為重要的作用，如薄膜沉積、材料刻蝕、表面改性、光刻膠去除，此外等離子體技術還具有高的各向異性、無廢液和無污染物產生等特點。

晶圓光刻膠的全部或者部分掃除貫穿于半導體芯片的整個工藝流程，掃膠工藝應用于半導體光刻工藝后，是清除殘留光刻膠的重要保障，也是影響芯片制程的關鍵因素。相對于其他等離子體的產生方式，射頻感性耦合等離子體具有相對較高的等離子體密度（10¹¹~10¹²cm^-3）、低工作壓力，以及離子能量可控等優勢在半導體行業內得到了廣泛應用。

光刻膠作為一種有機化合物，是現代半導體工藝中必不可少的組成部分，利用其受紫外光曝光后在顯影液中的溶解度會發生明顯變化的特點，通過對部分區域進行紫外曝光使光刻膠形成特定形貌的圖型，經過刻蝕工藝后再將光刻膠剝離，使特定材料形成特定的器件形貌。不同形貌的材料疊加即可制成特定的半導體器件。

射頻感性耦合等離子體掃膠技術原理

在半導體芯片制造中，為保證較高的掃膠速率、較好的各向異性刻蝕和較大的離子轟擊能量，通常采用低壓下的ICP放電模式。

射頻感性耦合等離子掃膠裝置如圖1所示，該裝置主要由真空反應腔室、氣路系統、放電系統、加熱系統、冷卻系統構成。

圖1 射頻感性耦合等離子掃膠裝置示意圖

晶圓表面光刻膠掃除工藝就是指將光刻膠作為被刻蝕目標刻蝕掉。作為被刻蝕的對象,光刻膠可以理解為由碳、氫、氧、氮等元素組成的長鏈有機聚合物,O2是主要反應氣體在等離子體中產生氧離子與高活性的氧原子。射頻感性耦合等離子掃膠反應器中,氧原子作為蝕刻劑與光刻膠反應生成CO、CO₂、H₂O等揮發性物質。

C_xH_y+ O→CO↑+ CO₂↑

與此同時,氧離子對光刻膠進行物理轟擊,破壞光刻膠表面形貌,移除松散結合的原子,并增強刻蝕產物的解吸附過程,加快氧原子與光刻膠表面的反應。

綜上所述：射頻感性耦合等離子體掃膠工藝就是工藝氣體選用高純O2，采用感性耦合產生的氧等離子體與光刻膠中由C、H、O、N等元素構成的有機物發生化學反應，破壞光刻膠中較穩定的化學成分，從而達到光刻膠均勻掃除的目的，腔室內反應生成的氣態物質通過真空系統排出。