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在目前的太陽(yáng)能硅基電池的生產(chǎn)過(guò)程中，廣泛地使用了PECVD工藝(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)來(lái)沉積各種工藝薄膜，即等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法。其中PECVD工藝按照不同的沉積薄膜又分為：1)常規(guī)的電池表面的減反射膜即氮化硅薄膜(SiNx)；2)PERC電池(Passivated Emitterand Rear Cell)，意思是"鈍化發(fā)射器和后部接觸"的太陽(yáng)能電池中的三氧化二鋁(Al2O3)和氮化硅(SiNx)的復(fù)合薄膜或氮氧化硅(SiNO)薄膜；3)TOPcon(隧穿氧化層鈍化接觸，Tunnel Oxide Passivated Contact)太陽(yáng)能電池中的非晶薄膜。

在PECVD的使用中，用到了石墨舟作為工裝載具。石墨舟主要起到的作用是乘載硅片，并且在工藝過(guò)程中通電并促使等離子體輝光放電，產(chǎn)生工藝反應(yīng)。并且在反應(yīng)中，石墨舟也會(huì)被沉積上反應(yīng)產(chǎn)生的膜，并且在重復(fù)使用中，薄膜沉積越來(lái)越厚，最后影響了石墨舟的導(dǎo)電性能，進(jìn)入影響了沉積薄膜的工藝質(zhì)量。故石墨舟到了一定的使用壽命，需要安排進(jìn)行清洗，去除表面沉積的各種副產(chǎn)品薄膜。

目前清洗石墨舟的常規(guī)工藝是使用一定比例(25％±5％)的HF溶液泡洗石墨舟，然后用DI(去離子水)漂洗石墨舟，最后在烘箱中將石墨舟烘干，這三個(gè)過(guò)程每個(gè)過(guò)程時(shí)間均為8±2小時(shí)左右，也就是說(shuō)完整的濕法清洗一個(gè)石墨舟的時(shí)間約為24小時(shí)左右。

目前清洗石墨舟都是采用的濕法清洗工藝，現(xiàn)有技術(shù)存在四大弊端：

一、清洗時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，濕法清洗一個(gè)石墨舟直到烘干需要24小時(shí)左右，為此企業(yè)需要多購(gòu)買用于周轉(zhuǎn)的石墨舟，帶來(lái)了高昂的成本代價(jià)；

二、成本高，成本主要包含1)化學(xué)品費(fèi)用，2)能耗費(fèi)用和純水費(fèi)用，3)人工費(fèi)用，4)因?yàn)榍逑磿r(shí)間長(zhǎng)，企業(yè)一般要多買實(shí)際用量的2倍左右的石墨舟參與周轉(zhuǎn)；

等離子體刻蝕清洗石墨舟上沉積的鍍層

為解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，可采用等離子體干法刻蝕工藝，來(lái)清洗光伏生產(chǎn)用石墨舟，等離子刻蝕清洗主要通過(guò)等離子體清洗系統(tǒng)產(chǎn)生的等離子體轟擊石墨舟表面膜層，并配合等離子體氣體基團(tuán)在石墨片表面吸附，并與表面膜層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)(CVD)，最終實(shí)現(xiàn)清除石墨舟上沉積的薄膜。

等離子清洗工作流程與原理如下

1)通過(guò)自動(dòng)化設(shè)備將石墨舟送入工藝腔體內(nèi)，然后封閉工藝腔體，此時(shí)工藝腔體內(nèi)部為常溫常壓；

2)然后通過(guò)真空抽氣系統(tǒng)(包括干泵)對(duì)工藝腔體抽真空，直至真空壓力到達(dá)預(yù)定壓力(如20pa)。

3) 然后啟動(dòng)供氣系統(tǒng)供應(yīng)工藝氣體，工藝氣體采用含氟氣體或含氟氣體與氧氣的混合氣體，含氟氣體選自CF4、CHF3、SF6、NF3、C2F6中的一種或幾種；同時(shí)開啟射頻電源，根據(jù)石墨舟上要刻蝕清除的薄膜厚度調(diào)整輝光時(shí)間，直至石墨舟表面的薄膜被徹底清除干凈；

等離子清洗石墨舟沉積膜層原理

主要是利用氟等離子體與石墨舟上的非晶硅發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生SiF4氣體，從而達(dá)到清洗石墨舟的目的。

例如采用NF3清洗硅薄膜（Si），生成氟化硅（SiF4）和氮?dú)猓∟2），其反應(yīng)原理為：

3Si+4NF₃=3SiF₄↑+2N₂↑

等離子清洗技術(shù)能解決傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池制造工藝中對(duì)石墨舟實(shí)施濕法清洗工藝的弊端，采用等離子體干法刻蝕工藝，徹底取代傳統(tǒng)的濕法清洗，帶來(lái)了極大的便利，成本大大降低，效率加快，更加節(jié)能環(huán)保，占地更小。