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我們在一般光刻過程中不難發現（下圖1所示），整個光刻過程中都是圍繞著光刻膠來進行的，但是光刻膠本身在微納米加工過程中只是媒介而已，在往往在圖形轉移后我們都是需要將光刻膠去除的，不同的圖形轉移工藝對應的光刻膠特性也是不同的，去膠的工藝也會有很大的不同，例如，金屬剝離工藝中（lift-off）我們通常會選擇濕法去膠工藝，但是在干法刻蝕、離子注入、電鑄工藝后我們往往會選擇干法去膠或者濕法與干法結合來完成去膠。

圖1 去膠步驟與一般光刻工藝過程

除一些特殊的工藝中的光刻膠保留在結構中外，其他的工藝過程之后需要去除光刻膠，濕法去膠操作簡單便捷，幾乎沒有設備要求，在實驗室更受歡迎，而在圖形轉移工藝之后，光刻膠不可避免的會受到溫度、離子注入等因素的影響導致光刻膠變得更加穩定或者光刻膠變性導致無法使用濕法完成去膠。因此氧等離子去膠是微納加工中必要的基礎設備之一。

等離子打底膠工藝

打底膠工藝是指利用氧等離子體去除光刻顯影后結構底部殘留的一層薄薄的底膠，這層底膠往往非常薄，但是盡管他非常薄但是也會導致后續蒸發的金屬與襯底之間無法形成歐姆接觸，甚至形成很大的接觸電阻，導致器件性能不佳。因此，為了提高器件的性能，必須減少接觸電極處的殘膠問題，通常的解決思路是使用氧等離子體（Oxygenplasma）去膠的方法處理殘膠，如下圖2所示：

圖2 剝離工藝一般過程示意圖

氧等離子掃底膠原理

因為光刻膠通常都是有機物，氧等離子體是氧氣在真空環境下被電離后形成的，其可以將表面殘余的光刻膠氧化為二氧化碳、水以及其他可揮發性氣體等，具有操作簡單、去膠效果好等優點，如圖3所示：

圖3 氧等離子體去除殘膠示意圖

打底膠所需要去除的光刻膠層非常薄，所以不需要很長的時間即可完成。等離子去膠是一種處理殘膠比較常見且有效的方式，很多半導體器件在處理殘膠時都會使用到氧等離子體打底膠。