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刻蝕是從材料到器件必須的工藝流程，用微機械剝離法、溶劑熱法等制備的二維材料尺寸與形狀具有隨機性，用化學氣相沉積法、氧化還原法等方法制備的二維材料一般尺寸較大，這些不規則尺寸與形狀的二維材料和大面積二維材料都需要經過圖形化裁剪才能制備成性能良好的特定功能器件。于是，二維材料圖形化是將其運用于微納電子器件和光電子器件的關鍵技術，此外，二維材料的圖形化裁剪一般由刻蝕完成。目前，石墨烯等二維材料的圖形化刻蝕方法主要有等離子體刻蝕、紫外臭氧刻蝕、AFM刻蝕、高功率激光刻蝕等。其中等離子體和臭氧刻蝕是使用最廣泛的兩種刻蝕方法。

等離子體刻蝕

在生產微納電子器件和光電子器件中，隨著器件集成度的不斷提高和元件線寬減小，刻蝕技術也發生了改變，從原來的化學溶劑“濕刻”轉變為等離子體“干刻”。濕刻是指用化學溶劑腐蝕掉樣品表面一定深度的物質，這種刻蝕是各向同性刻蝕，但存在作用尺寸大，刻蝕精度差的缺點。干刻主要是利用氣相刻蝕劑與表面作用，刻蝕產物為揮發性氣體并被抽走。干刻有等離子體刻蝕、離子束刻蝕等。

等離子體表面刻蝕是一種常用的工藝，主要是將等離子體作用于樣品表面，引起物理摻雜或者化學反應，由于等離子體中活性粒子的能量較低，改性僅僅發生在表面層內，基質材料的本體性能不受影響。等離子體表面刻蝕可分為物理刻蝕和化學刻蝕。目前該技術已被廣泛應用于二維材料的圖形化刻蝕中。

等離子物理刻蝕的工作原理是把Ar、Kr或Xe之類的惰性氣體充入離子源放電室并使之電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈線狀引出，通過加速形成具有一定能量的離子束進入射頻工作區，離子束射向并撞擊材料表面，通過能量傳遞使材料的原子或分子產生濺射，從而達到刻蝕的效果。

等離子體化學刻蝕方法主要是利用典型的氣體在高頻電場中輝光放電電離形成具有強烈蝕刻性的氣相等離子體，利用氣相等離子體的化學活性與待刻蝕的二維材料發生化學反應，轟擊樣品表面，形成可揮發性生成物如CO、CO2、H2O等氣體，由排出的氣體一起帶走，從而達到蝕刻的目的。

目前等離子表面刻蝕在實驗研究，材料處理及器件制造相關行業中被廣泛應用。等離子體刻蝕具有明顯的各向異性刻蝕特征，二維材料被發現后，等離子體刻蝕成為石墨烯、MoS2、WSe2等二維材料圖形化刻蝕的主要方法。