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刻蝕分為干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕是一種在不使用化學溶劑的情況下,在金屬或半導體上進行腐蝕的刻蝕方法。干法刻蝕利用氣體(例如,氨、氯氣、氫氣或氬氣)電離產生的等離子體在極短時間內腐蝕材料表面，去除光刻后暴露的表面材料。腐蝕氣體的選擇根據具體的材料來進行選擇。干法刻蝕目前主要用于制備微芯片、半導體材料和傳感器等。通過選擇合適的氣體流量和反應氣體,可以控制所制備的微芯片和半導體器件的幾何形狀。

干法等離子體刻蝕

等離子體是物質的第四種狀態。等離子體是由部份解離的氣體及正離子、負離子、自由電子等帶電粒子，以及不帶電的中性粒子如激發態分子、自由基等組成的，其中所含的氣體具高度的活性。干法刻蝕可分為三類，包括化學刻蝕,物理刻蝕和反應離子刻蝕。

物理刻蝕

純物理性蝕刻是利用輝光放電，將氣體如Ar，解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，撞擊在被刻蝕物的表面，而將被刻蝕物質原子撞出。這個過程中利用物理上能量的轉移，所以稱為物理性刻蝕。由于離子撞擊擁有很好的方向性，可獲得接近垂直的刻蝕輪廓。但缺點是由于離子是以撞擊的方式達到刻蝕的目的，因此光刻膠與待刻蝕材料兩者將同時遭受刻蝕，造成對屏蔽物質的刻蝕選擇比變差，同樣以離子撞擊方式蝕刻對于底層物質的選擇比也很低。被撞擊出的物質往往是非揮發性物質,這些物質容易再度沉積至被刻蝕物薄膜的表面或側壁。加上蝕刻效率偏低，因此，以純物理性蝕刻方式在集成電路制造過程中很少單獨使用。

化學刻蝕

純化學反應性蝕刻，則是利用等離子體產生化學活性極強的原子團及分子團，原子團及分子團擴散至待蝕刻物質的表面，與待刻蝕物質反應產生揮發性之反應生成物，并被真空設備抽離反應腔。這種反應完全利用化學反應來達成。這種刻蝕方式和濕法刻蝕類似，只是反應物及產物的狀態由液態改變為氣態。因此純化學反應性蝕刻擁有類似于濕法刻蝕的優點及缺點,即高選擇比及各向同性刻蝕。在半導體制造中純化學反應性蝕刻應用的情況通常為不需做圖形轉換的步驟，如光阻的去除等。

反應離子刻蝕

最具廣泛使用的方法便是結合物理性刻蝕與化學反應性刻蝕,即所謂的反應離子刻蝕(RIE,ReactivelonEtch),此種刻蝕方式兼具各向異性及高選擇比等雙重優點，刻蝕的進行主要靠化學反應來達成，以獲得高選擇比。加入離子撞擊的原因有兩種:一是將待蝕刻物質表面的原子鍵結構破壞，以加速蝕刻速率;二是將再沉積于待蝕刻物質表面的產物或聚合物(Polymer)打掉,以便待蝕刻物質表面能再與反應蝕刻氣體接觸。而各向異性蝕刻是靠再沉積的產物或聚合物，沉積于待蝕刻圖形上，在表面的沉積物被離子打掉，刻蝕可繼續進行，而在側壁上的沉積物，因未受離子的撞擊而保留下來，阻隔了表面與反應蝕刻氣體的接觸，使得側壁不受侵蝕，而獲得非等向性蝕刻。

各向同性刻蝕意味著蝕刻在各個方向都是均勻的。各向異性刻蝕就是刻蝕在不同的方向上以不同的速度進行。完全各向異性刻蝕是指刻蝕時只向下,不向兩側刻蝕。

三種刻蝕方式效果圖